創新設計，Samsung Galaxy Note Edge 開箱測試
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創新是不錯啦...但是挺醜的...多人用的手機，並不一定是好手機，請別強迫他人用跟你一樣的手機，因未必適合。
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只可惜台灣沒有引進~
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最難人傷腦筋的是發明玻璃保護貼的人。開心最重要
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截圖旁邊那條也截的道嗎?如果我不是你所想像的那樣。 這是我的粉專 歡迎來找我玩喔~ goo.gl/p07tyw
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感謝發文的大大，這篇讓我對於Galaxy Note Edge有更進一步的了解，就等他上市了!!
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AMOLED不是液晶營幕,請修改內文
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提供 Samsung Galaxy S6 快閃儲存記憶體效能測試跑分。
在 Galaxy S6 與 Galaxy S6 edge 三星首度採用只有固態硬碟才有應用上的 “Command Queue” 技術，號稱 FUS 2.0 儲存記憶體來增加指令執行速度，這種技術比目前普遍應用在手機的 eMMC 5.0 快 2.7 倍。有一點要注意的是，如果這時手機還有 microSD 卡的配置，FUS 2.0 儲存記憶體帶來的高效能會因此受拖累。
以下 AndroBench 可以測試記憶體連續讀取、寫入及隨機讀取、寫入的執行效能，三星說 Galaxy S6 的隨機讀取比 Galaxy S5 快 2.7 倍，經過 Gamarena 網站實測還比 2.7 倍快 - 在隨機讀取得到 20681 IOPS（每秒輸入/輸出操作），比 Galaxy S5 的 4858 IOPS 快了 3.25 倍。
為了方便對照，Gsmarena 網站還在 Galaxy S5、Galaxy Note 4 加入 microSD 進行測試，microSD 是使用創見 Premium 300x microSDHC UHS-1 Class 10 的 16GB 進行讀取及寫入效能表現，讓大家感受應用程式在 microSD 卡執行與內建快閃記憶體 FUS 2.0 執行速度的不同。測試得出的結果明顯的看出，除了連續寫入小輸 HTC One 9 與 Galax Note 4，Galaxy S6 在連續與隨機讀取、與隨機寫的效能都大幅領先對手（註：以下受測機型都是 Android Lollipop、硬體磁碟加密都關閉狀態），純粹用預設 Android Lollipop 來測。
Galaxy S6 電池表現，個人覺得中等，跟 Xperia Z3 家族例如 Xperiz Z3 Compact 比起有不小差距（不過以下這台 S6 型號為 SM-G920F，軔體版本 G920FXXU1A0BN）：
